對單粒子試驗的粒子通量（單位時間，單位面積的粒子數(shù)），注量（單位面積，累積粒子數(shù)）和累積錯誤數(shù)的規(guī)定主要從以下幾個方面考量：

        1、對粒子通量，原則上應(yīng)盡可能接近實際應(yīng)用，不希望兩個粒子作用時間存在交疊，交疊可能產(chǎn)生嚴重的單粒子現(xiàn)象。同時要考慮加速器所能給定的z低通量，以及兼顧試驗成本（通量越低，試驗時間越長，試驗成本越高）。

        2、對注量的要求，主要是防止總劑量效應(yīng)的發(fā)生，根據(jù)工程經(jīng)驗，當重離子累積注量不超過107 ions/cm2時，重離子輻射的累積總劑量效應(yīng)可以忽略；

        3、對累積錯誤數(shù)的考慮，單粒子效應(yīng)試驗本質(zhì)上是一種統(tǒng)計試驗，是以小子樣評估為基礎(chǔ)，實踐中，盡量獲得更多的錯誤數(shù)據(jù)，以保證評估的置信度，標準中要求至少累積100個錯誤。

        4、為保證試驗的置信度，盡量累積多的錯誤，但同時不能超過總劑量效應(yīng)發(fā)生的累積粒子數(shù)，所以以記錄到的錯誤和達到的累積粒子數(shù)最先觸及的條件作為試驗中止條件。

        在進行單粒子試驗時，受試器件的處置方法極為重要。首先，工程師必須確保器件的封裝不會阻礙試驗源重離子到達器件的敏感區(qū)，否則將無法觀察到任何單粒子現(xiàn)象的發(fā)生，從而導致試驗失敗。因此，工程師需要參照標準給定能量的Si中射程，在試驗前充分評估并保證粒子能夠到達敏感區(qū)的方法。

        為了實現(xiàn)這個目標，工程師可以通過機械或化學開封的方式將裸芯片暴露出來。對于倒裝器件，應(yīng)采用機械研磨或切削進行襯底減薄。如果使用環(huán)形加速器進行試驗，應(yīng)盡可能保證器件襯底低于100μm。無論是通過機械開封還是襯底減薄的方式，我們都應(yīng)確保器件能夠保持正常的加電和工作狀態(tài)。

        對于功率器件，如果正面金屬層較厚，工程師應(yīng)采用背面襯底減薄的方式進行評估和考核試驗。這樣可以確保試驗的準確性和可靠性，同時也能有效地保護器件不受損傷。總的來說，對受試器件的處置是一個需要綜合考慮多種因素的過程，旨在保證試驗的成功進行和結(jié)果的準確性。

        參考GB/T 39343-2020《宇航用處理器器件單粒子試驗設(shè)計與程序》，進行單粒子試驗的電路板及測試系統(tǒng)應(yīng)考慮如下：

        1、能夠承載待測器件，可采用焊接，也可采用Socket裝夾；

        2、能夠施加供電電壓，并可根據(jù)需要改變電壓；

        3、能夠?qū)ζ骷M行讀/寫操作，能夠抓取讀寫單元的地址信息，包括物理地址；

        4、上位機軟件能夠記錄讀操作的數(shù)據(jù)，并可與預期值比較，并根據(jù)錯誤的物理地址信息區(qū)分SEU和MBU；

        5、控制回路和待測器件承載板盡量采取字母板的方式，以避免輻射粒子對控制回路器件影響，導致試驗噪聲；

        6、線纜進行必要屏蔽，避免電噪聲；

        7、ECC糾錯盡量關(guān)閉，否則單位翻轉(zhuǎn)監(jiān)測不到，只能監(jiān)測多位翻轉(zhuǎn)；

        8、軟錯誤可能對供電電壓十分敏感，盡量將可能的供電狀態(tài)都進行獨立的試驗，這是因為很多用戶十分關(guān)注軟錯誤率與供電狀態(tài)之間的關(guān)系。

        9、減少死時間：讀與寫間隔內(nèi)，發(fā)生錯誤是無法被監(jiān)控到，會導致錯誤率的低估；

        10、re-rewritten的向量寫補碼；

        11、禁止整體寫、整體讀，如此會使死時間增加50%，錯誤率低估一倍；

        12、 建議即時讀寫，即一個地址進行兩個訪問循環(huán)，其中一個訪問位讀訪問，同時比較錯誤和記錄錯誤，另一個訪問循環(huán)寫入補碼；

        13、 要進行地址碼和存儲數(shù)據(jù)一一核實，會存在地址譯碼電路翻轉(zhuǎn)造成的錯誤寫入。

        ● 牽頭工信部“面向集成電路、芯片產(chǎn)業(yè)的公共服務(wù)平臺建設(shè)項目" ，參與工信部“面向制造業(yè)的傳感器等關(guān)鍵元器件創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化公共服務(wù)平臺"等多個項目；

        ●牽頭建設(shè)江蘇省發(fā)改委“江蘇省第三代半導體器件性能測試與材料分析工程研究中心"

        ● 在集成電路及SiC領(lǐng)域是技術(shù)能力全面、認可度高的第三方檢測機構(gòu)之一，已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個型號的芯片驗證；并支持完成多款型號芯片的工程化和量產(chǎn)。

        ● 在車規(guī)領(lǐng)域擁有AEC-Q及AQG324一站式能力，獲得了近50家車廠的認可，出具近400份AEC-Q及AQG324報告，助力100多款車規(guī)元器件量產(chǎn)。